从1999年开始，每一年《麻省理工科技评论》都会选出一批35岁以下最具有创新性和影响力的科学家、科研工作者、科技创业者，他们分别是发明家、创业家、远见者、人文关怀者、先锋者。2021年是“创新35人”中国评选的第五届，bat365官网登录入口教师唐建石入选中国区“35岁以下科技创新35人”，这是bat365官网登录入口青年教师再次入选此榜单。2020年，我院教师南天翔获得《麻省理工科技评论》中国区“35岁以下科技创新35人”称号。
入选年龄：33岁
职位：bat365官网登录入口副教授
入选理由：他研制了一系列神经形态的忆阻器来模拟生物突触、神经元和树突等多种功能，致力于推动类脑计算的进步。
过去几十年，半导体技术的发展始终在一定程度上遵循摩尔定律，但时至今日，人类已经逼近硅晶体管尺寸微缩的物理极限，传统计算硬件的性能持续提升变得愈发困难。与此同时，人工智能等新兴技术的飞速发展又对高速、高算力、高能效的计算硬件提出了更高的需求。
为了解决这一矛盾，我院副教授唐建石专注于探索新材料、新器件、新架构来开发更快、更高效的先进计算技术。他所在的“新型存储器与类脑计算”团队研制了一系列神经形态的忆阻器来模拟生物突触、神经元和树突等多种功能，并进一步利用其独特的存算一体优势和仿生特性来实现高效的类脑计算。
具体来说，唐建石研制了一种新型的电化学存储器（ECRAM）作为人工突触，其阻变特性具有非常好的对称性和线性度，能够实现高速、低功耗的类脑计算。他还通过研发基于可逆拓扑相变的新型忆阻器（TPT-RAM），解决了基于非晶氧化物的传统忆阻器中随机性大的挑战。
为了使人工神经网络包含更多仿生功能，他与团队首次研制出一种动态忆阻器作为人工树突器件，并且在此基础上构建出包含树突计算的新型人工神经网络，可将网络分类准确率提高8% 并显著提升能效。他进一步利用该动态忆阻器实现了一种新型的并行储备池计算系统，在语音识别和混沌信号预测任务上实现了极低的错词率和预测误差。
此外，唐建石还在碳基电子学领域颇有建树，解决了许多碳纳米管器件与电路的关键挑战，包括碳纳米管纯度、摆放、金属接触优化、晶体管尺寸微缩、工艺集成等。
唐建石本科毕业于清华大学微纳电子系（今bat365官网登录入口），2014年于美国UCLA电子工程系获博士学位，2015-2019年在IBM工作，现任bat365官网登录入口副教授，IEEE高级会员，担任Journal of Semiconductors等期刊青年编委，IEDM、IEEE-NANO、EDTM、CSTIC等国际会议的技术委员会成员。主要研究方向为新型存储器与类脑计算、碳基电子学等，发表论文近100篇，申请专利60余项，相关成果入选“2020年北京地区广受关注论文”，并获得了2021年中国新锐科技人物卓越影响奖、NT18“最佳青年科学家”奖等奖项。
清华主页
