男，1965年出生，bat365官网登录入口研究员，博士生导师，清华大学模型、模拟与CAD团队和集成纳电子研究所的骨干教师。分别于1986年、1991年和1997年获得西安交通大学电子工程系工学学士、硕士和电气工程学院工学博士学位，1999年在清华大学微电子学研究所博士后出站留校并聘为副研究员，2006年晋升为研究员。曾任微电子学研究所微纳器件与系统研究室副主任，大三专业核心课“微电子工艺技术”主讲教师，瑞典皇家工学院访问学者（2004-2005）。发表学术论文约200篇；获得中、美、欧盟、俄罗斯、印度等中外发明专利50余项，其中多项专利已经成功转让；参与的“集成电路建模与仿真关键技术”项目获得2018年中国仿真学会科技进步一等奖。研制出国内第一个反向阻断电压达到特高压（10KV）的SiC门极可关断晶闸管（GTO），性能处于国际先进水平；研制出多款具有国内领先或先进水平的沟槽/平面型SiC MOSFET、PiN二极管、Si IGBT等功率器件和SiC CMOS集成电路。曾获校级先进工作者、良师益友等荣誉称号，指导的学生曾获全国百篇优秀博士论文、校级优秀硕士论文。研究方向为新型半导体（硅、碳化硅）功率器件、功率集成电路及其封装模块、应用电路与系统的设计与制造、可靠性试验与产业化验证，半导体器件建模与模拟。
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